Фотоэлектрические свойства гетероструктур n-TiO2/p-Co0.7Ni0.3O
Клето Г.И.1, Савчук А.И.1, Цалый В.З.1, Юрьев В.Г.1, Докторович И.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина ЦКБ "Ритм", Черновцы, Украина
Email: kleto21@list.ru
Поступила в редакцию: 15 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
Измерены основные фотоэлектрические параметры пленочных гетероструктур n-TiO2/p-Co0.7Ni0.3O, полученных путем последовательного распыления металлических мишеней в окислительной атмосфере. Спектральный диапазон чувствительности гетероструктур находится в границах 225-385 nm при отсутствии фотосигнала в видимой части спектра. Изготовленные структуры могут использоваться в качестве фотосенсоров с высокой спектральной избирательностью.
- Tianyou Zhai, Xiaosheng Fand, Meiyong Liao et al. // Sensors. 2009. V. 9. P. 6504--6539
- www.dz 863.com/datasheet-8312661563
- Yangang Han, Gang Wu, Haiguo Li, Mang Wang, Hongsheng Chen // Nanotecnology. 2010. V. 21. P. 185 708
- Masayuki Okuya, Katsauyki Shiozaki, Nobuyuki Horkawa et al. // Solid State Ionics. 2004. V. 172. P. 527--531
- Tsai T.Y., Chang S.I., Hsuen T.I. et al. // Nanoscale Res. Lett. 2011. V. 6 (1). P. 575
- Zakutayev A., Perkins J.O., Parilla P.A. // MRS Communications. 2011. V. 1. P. 23--26
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ. под ред. А.Ф. Трутко. М.: Энергия, 1973. 85 с.; Sze C.M. Phyzics of Semiconductor Devices. New York, London, Toronto: John Wiley and Sons, 1969
- Yanbo Li, Florent Della Valle, Mathieu Simonnet et al. // Nanotechnology. 2009. V. 20. P. 045 501
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук