Пассивация поверхности GaP(111) обработкой в парах селена
Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Арсентьев И.Н.1, Кузубов С.В.1, Власов Ю.Н.1, Панин Г.А.1, Кортунов А.В.1
1Воронежский государственный университет инженерных технологий Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Воронежский институт ГПС МЧС России
Email: phys@vsuet.ru
Поступила в редакцию: 13 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
Представлены результаты исследования структурно-фазовых превращений на поверхности GaP(111) после термической обработки в парах селена в камере квазизамкнутого объема в вакууме. Электрофизические характеристики диодов с барьером Шоттки на GaP(111) исследовали до и после обработки в парах селена путем измерения вольт-амперных характеристик и методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Установлено, что после обработки в парах селена появляется зависимость высоты барьера Шоттки от работы выхода металла в соответствии с правилом Шоттки-Мотта для идеального диода. Показано, что снижение плотности поверхностных электронных состояний в GaP(111) обусловлено образованием поверхностной фазы Ga2Se3(111)( 3x3)-R30o с упорядоченными стехиометрическими вакансиями галлия.
- Алфёров Ж.И. // ФТП. 1998. Т. 32. N 1. С. 3-18
- Fukuda Y., Shimomura M., Sanada N., Nagoshi M. // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. P. 3632-3634
- Бессолов В.Н., Лебедев М.В. // ФТП. 1998. Т. 32. N 11. С. 1281-1299
- Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Агапов Б.Л., Стрыгин В.Д. // ФТП. 1995. Т. 29. N 1. С. 24-32
- Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Кузубов С.В., Агапов Б.Л. // Кристаллография. 2010. Т. 55. N 5. С. 896-899
- Котов Г.И., Кузубов С.В., Агапов Б.Л., Панин Г.А., Безрядин Н.Н. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2012. Т. 14. N 4. С. 428-432
- Зи C. Физика полупроводниковых приборов. М., 1984. Т. 1
- Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Власов Ю.Н., Стародубцев А.А. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 6. С. 756-760
- Jacobi K., Muschwitz C.V., Ranke W. // Surf. Sci. 1979. V. 82. N 1. P. 270-282
- Li D.-F., Guo Z.-C., Xiao H.Y., Zu X.-T., Gao F. // Physica. B: Condensed Matter. 2010. V. 405. P. 4262-4266
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
