Влияние бета-облучения на фазовые превращения кремния Si-I-> Si-II под индентором
Дмитриевский А.А.1
1Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина
Email: dmitr2002@tsu.tmb.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Методом регистрации электрического сопротивления при внедрении индентора в узкую (d~ 2 mum) щель между металлическими контактами исследован процесс фазового перехода алмазоподобной кристаллической решетки кремния Si-I в beta-tin структуру Si-II. Обнаружено уменьшение относительной объемной доли металлизированной фазы Si-II, формируемой при внедрении индентора, индуцируемое малодозовым (флюенс F=3.24· 1010 cm-2) низкоинтенсивным (интенсивность I=1.8· 105cm-2· s-1) бета-облучением.
- Dominich V., Gogotsi Yu. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2002. V. 3. P. 1
- Wu Y.Q., Huang H., Zou J., Zhang L.C., Dell J.M. // Scripta Materialia. 2010. V. 63. N 8. P. 847
- Ruffell S., Sears K., Bradby J.W., Williams J.S. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 052 105
- Kulshreshtha P.K., Youssef K.M., Rozgonyi G. // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2012. V. 96. P. 166
- Dominich V., Aratyn Y., Kriven W.M., Gogotsi Yu. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2008. V. 17. P. 33
- Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Шуклинов А.В., Косырев П.А., Ловцов А.Р. // Изв. вузов. Сер. Физ. 2011. Т. 54. N 8. С. 73
- Дмитриевский А.А., Головин Ю.И., Васюков В.М., Сучкова Н.Ю. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2008. Т. 72. N 7. С. 988
- Gridneva I.V., Milman Yu.V., Trefilov V.I. // Phys. Stat. Sol. (A). 1972. V. 14. N 177. P. 177.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук