"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства эпитаксиального арсенида галлия, полученного из растворов-расплавов на основе висмута
Лубяная М.Д., Сороколет С.Р., Шутов С.В.
Поступила в редакцию: 8 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

  1. Марончук И.Е., Шутов С.В., Кулюткина Т.Ф. Неорганические материалы. 1995. Т. 31. N 12. С. 1520--1522
  2. Якушева Н.А., Чикичев С.Н. Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1987. Т. 23. N 10. С. 1607--1609
  3. Коваленко В.Ф., Пека Г.П. и др. Варизонные полупроводники. Киев. 1989
  4. Nishizawa J., Oyama Y., Tanado H. J. Cryst Growth. 1979. V. 47. N 3. P. 434--436
  5. Djemel, Castaing J., Burle-Durbec N., Pichaud. Revue Phys. Appl. 1989. V. 24. N 8. P. 779--793

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.