Излучательная рекомбинация анодизированного фосфида галлия
Лебедев А.А.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Государственный технический университет С.-Петербург
Поступила в редакцию: 25 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 465 с
- Баранский П.И., Клочокв В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наук. думка, 1975. 704 с
- Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая электроника. М.: Мир, 1976. 432 с
- Милнс А. Примеси с глубокими уровнями. М.: Мир, 1977. 562 с
- Canham L.T. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 1046
- Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. ФТП. 1993. Т. 27. С. 1846
- Лебедев А.А., Рудь Ю.В. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 2. С. 80
- Agekyan V.F., Lebedev A.A., Lebedev A.A., Rud' Yu.V., Stepanov Yu.A. Abstracts 3-th Intern. Workshop "Expert evalution and control of compound semiconductor materials and technologies". Freiburg, Germany, 1996. 8. 5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук