Предложены новая конструкция фотодиода с двукоординатной чувствительностью на основе гетероструктур InP-InGaAsP, технология его изготовления, основные характеристики и параметры. В отличие от аналогов на основе Si фотодиод обладает селективной спектральной фоточувствительностью с полушириной спектра Deltalambda=75 нм и повышенной чувствительностью для lambda=1.06 мкм (S_lambda=1.06=0.57 А/Вт). Это дает возможность использовать его без дополнительных интерференционных фильтров в оптоэлектронных системах для управления быстродвижущимися в пространстве объектами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.