Температурная зависимость фотоответа и усиления фототока гибридной изотипной гетероструктуры p-InP-- p-InGaAs с диодом Шоттки Pd-- p-InP
Слободчиков С.В.1, Руссу Е.В.1, Салихов Х.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
- Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 19. С. 50--54
- Kovalevskaya G.G., Slobodchikov S.V. Phys. Stat. Sol. 1968. V. 30. P. 441
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.