"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP/InAs для спектрального диапазона 3--5 мкм
Михайлова М.П.1, Слободчиков С.В.1, Стоянов Н.Д.1, Стусь Н.М.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

  1. Bubulac L.O., Andrews A.M., Gerther E.R. and al. Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. P. 734
  2. Gertner E.R., Andrews A.M., Bubulac L.O. and al. J. Electron. Mat. 1979. V. 8. P. 545
  3. Андреев И.А., Афраилов М.А., Баранов А.Н. и др. Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. С. 27
  4. Андреев И.А., Баранов А.Н., Михайлова М.П. и др. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. С. 50
  5. Dobbelaere W., De Boeck J., Heremans P. and al. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 3256
  6. Infrared Photodetectors, Hamamatsu Catalog No. KIPD0001E03. Ser. 94. T, Japan

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.