"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP/InAs для спектрального диапазона 3--5 мкм
Михайлова М.П.1, Слободчиков С.В.1, Стоянов Н.Д.1, Стусь Н.М.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

  • Bubulac L.O., Andrews A.M., Gerther E.R. and al. Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. P. 734
  • Gertner E.R., Andrews A.M., Bubulac L.O. and al. J. Electron. Mat. 1979. V. 8. P. 545
  • Андреев И.А., Афраилов М.А., Баранов А.Н. и др. Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. С. 27
  • Андреев И.А., Баранов А.Н., Михайлова М.П. и др. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. С. 50
  • Dobbelaere W., De Boeck J., Heremans P. and al. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 3256
  • Infrared Photodetectors, Hamamatsu Catalog No. KIPD0001E03. Ser. 94. T, Japan
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.