Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP/InAs для спектрального диапазона 3--5 мкм
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
- Bubulac L.O., Andrews A.M., Gerther E.R. and al. Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. P. 734
- Gertner E.R., Andrews A.M., Bubulac L.O. and al. J. Electron. Mat. 1979. V. 8. P. 545
- Андреев И.А., Афраилов М.А., Баранов А.Н. и др. Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. С. 27
- Андреев И.А., Баранов А.Н., Михайлова М.П. и др. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. С. 50
- Dobbelaere W., De Boeck J., Heremans P. and al. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 3256
- Infrared Photodetectors, Hamamatsu Catalog No. KIPD0001E03. Ser. 94. T, Japan
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
