Видимая фотолюминесценция арсенида галлия
Лебедев А.А.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
В результате анодного травления в растворах HF+HNO3 на поверхности GaAs образуется слой желто-белого цвета. В спектре фотолюминесценции этого слоя наблюдается интенсивная широкая бесструктурная полоса с максимумом при 2.14 эВ при 300 K. Интенсивность излучения в области квазимежзонных переходов в травленых и исходных пластинах GaAs при одинаковых условиях возбуждения значительно ниже.
- Canham L.T. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 1046
- Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. ФТП. 1993. Т. 27. С. 1846
- Astrova E.V., Belov S.V., Lebedev A.A., Remenyuk A.D., Rud' Yu.V. Phys. Low-Dim. Struct. 1994. V. 4/5. P. 47
- Лебедев А.А., Рудь Ю.В. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 2. С. 80
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с
- Cusano D., Kingsley J. Appl. Phys. Lett. 1965. V. 6. P. 91
- Гладких Б.И., Наследов Д.Н., Царенков Б.В. ФТП. 1968. Т. 2. С. 635
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.