"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
Кучеренко И.В.1, Водопьянов Л.К.1, Кадушкин В.И.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Москва Научно-исследовательский технологический институт Рязань
Поступила в редакцию: 15 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

  1. Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В. Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 57. С. 565
  2. Белиничер В.И., Стурман Б.И. УФН. 1980. Т. 130. С. 415
  3. Doviak I.M., Kothari S. Proc. XII Int. Conf. on Phys. of Semicond. Stuttgart, 1974. P. 1257
  4. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. С. 371
  5. Алещенко Ю.А., Воронова И.Д., Гришечкина С.П. и др. Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 58. С. 377
  6. Гавриленко В.И., Грехов А.М. и др. Оптические свойства полупроводников: Справочник. Киев. Наук. думка, 1987. С. 208

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.