Временной дрейф параметров границы раздела фосфид индия --- двуокись кремния
Берман Л.С., Габараева А.Д., Каманин А.В., Каримов И., Клячкин Л.Е., Шаронова Л.В., Шмидт Н.М.
Поступила в редакцию: 13 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
- Lile D.L., Taylor M.J., J. Appl. Phys. 1983. V. 54. N 1. P. 260--267
- Tardy J., Thomas I., Viktorovich P. et al. Appl. Surf. Sci. 1991. V. 50. P. 383--389
- Hollinger G., Bergignat E., Joseph J., Robach Y. J. Vac. Sci. Technol. 1985. V. A3. N 6. P. 2082--2088
- Juang M.T., Wager J.F., Van Vechten J.A. J. Electrochem. Soc. 1988. V. 135. N 8. P. 2019--2023
- Hasegawa H., Ohno H. J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. B4. N 4. P. 1130--1138
- Akazawa M., Hasegawa H., Ohue E., Jpn. J. Appl. Phys. 1989. V. 28. N 11. P. L2095--L2097
- Kodama S., Koyanagi S., Hashizume T., Hasegawa H. Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. N 2B. P. 1143--1148
- Башкин М.О., Емельянов А.В., Портнов С.М., Самсонов Н.С. Электронная промышленность. 1992. N 1. С. 2--5
- Pantelidis S.T. J. Vac. Sci. Technol. 1977. V. 14. N 4. P. 965--967
- Современные пробемы физической химии поверхности полупроводников. 1988. Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние. 238 с
- Берман Л.С. Универсальная измерительная установка для емкостной спектроскопии полупроводников. Препринт ФТИ, N 974, 1985. 25 с
- Барабан А.П., Булавин В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд.-во ЛГУ, 1988. 303 c
- Раков А.В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.: Радио и связь, 1975. 250 с
- Квантовая химия молекулярных систем и кристаллохимия силикатов. Л.: Наука, 1988. 72 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук