Трансформация в системе точечных дефектов арсенида галлия, вызванная воздействием лазерного инфракрасного излучения
Кладько В.П.1, Пляцко С.В.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины Киев
Поступила в редакцию: 4 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
- Кашкаров П.К., Петров В.И., Птицын Д.В. и др. ФТП. 1989. Т. 23. В. 11. С. 2080--2082
- Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. 208 с
- Gromovoj Yu.S., Plyatsko S.V., Sizov F.F. Materials Letters. 1989. V. 8. N 11, 12. P. 495--499
- Plyatsko S.V., Sizov F.F., Darchuk S.D. Materials Letters. 1989. V. 6. N 4. P. 116--118
- Fujimoto I. Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. N 5. P. 1287--1289
- Кладько В.П. УФЖ. 1994. Т. 39. N 3. С. 22--25
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук