"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Особенности эпитаксиального роста CeO 2 пленок на кремниевых подложках
Смольский О.В.1, Мамутин В.В.1, Картенко Н.Ф.1, Денисов Д.В.1, Копьев П.С.1, Мелех Б.Т.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

  1. Wu X.D., Dye R.C., Muenchausen R.E. et al. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 19. P. 2165--2167
  2. Yoshimoto M., Syimozono K., Maeda T. et al. Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. N 6A. P. L688--L690
  3. Hollman E.K., Vendik O.G., Zaitsev A.G., Melekh B.T. Supercond. Sci. Technol. 1994. V. 7. P. 609--622
  4. Chikyow T., Bedair S.M., Tye L., El-Masry N.A. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 8. P. 1030--1032
  5. Inoue T., Yamamoto Y., Koyama S. et al. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 14. P. 1332--1333
  6. Inoue T., Osonoe M., Tohda H. et al. J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N 12. P. 8313--8315
  7. Inoue T., Ohsuna T., Obara Y. et al. J. Cryst. Growth. 1993. V. 131. P. 347--351
  8. Смольский О.В., Денисов Д.В., Мамутин В.В. Письма в ЖТФ. 1996 (в печати)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.