МОП-структуры на основе кремния, легированного Cs
Власов И.С.1, Насиров А.А.1, Парчинский П.Б.1, Абдуазимов В.А.1, Олматов Б.А.1
1Ташкентский государственный университет
Поступила в редакцию: 17 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
- Гурский Л.И., Румак Н.В., Куксо В.В. Зарядовые свойства МОП-структур. Минск: Наука и техника, 1980. 200 с
- Мейер Дж., Эриксон А., Дэвис Дж. Легирование полупроводников ионным внедрением. М.: Мир, 1973. 296 с
- Sixt Q., Goetzberger A. Appl. Phys. Lett. 1971. V. 19. N 11. P. 478--479
- Горбань А.Г., Карплюк А.И., Костылев В.П., Литовченко В.Г., Макаров А.В., Серба А.А. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1985. Вып. 7. С. 35--40
- Goetzberger A., Klausman E., Schulz M.J. Crit. Revs Solid State Sci. 1971. N 6. P. 1--43
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук