"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Рост объемных монокристаллов карбида кремния политипов 4 H и 6 H
Максимов А.Ю.1, Мальцев А.А.1, Юшин Н.К.1, Бараш И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.

  1. Nakata T., Koga K., Matsushita Y., Ueda Y., Niina T. Amorphouse and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials II (Springer Proceedings in Physics). 1989. V. 43. P. 26--33
  2. Barrett D.L., Seidensticker R.G., Gaida W., Hopkins R.H. J. of Crystal Growth. 1991. V. 109. P. 17--23
  3. Nishino S., Kojima Y., Saraie J. Amorphouse and Crystalline Silicon Carbide III (Springer Proceedings in Physics). 1992. V. 56. P. 15--21
  4. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. J. Crystal Growth. 1981. V. 52. P. 146
  5. Бараш А.С., Водаков Ю.А., Кольцова Е.Н., Мальцев А.А., Мохов Е.Н., Раенков А.Д. Материалы 7-ой Всесоюз. конф. по росту полупроводниковых кристаллов и пленок. 1986. Т. 1. С. 279--281

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.