Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рост объемных монокристаллов карбида кремния политипов 4 H и 6 H
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.
- Nakata T., Koga K., Matsushita Y., Ueda Y., Niina T. Amorphouse and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials II (Springer Proceedings in Physics). 1989. V. 43. P. 26--33
- Barrett D.L., Seidensticker R.G., Gaida W., Hopkins R.H. J. of Crystal Growth. 1991. V. 109. P. 17--23
- Nishino S., Kojima Y., Saraie J. Amorphouse and Crystalline Silicon Carbide III (Springer Proceedings in Physics). 1992. V. 56. P. 15--21
- Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. J. Crystal Growth. 1981. V. 52. P. 146
- Бараш А.С., Водаков Ю.А., Кольцова Е.Н., Мальцев А.А., Мохов Е.Н., Раенков А.Д. Материалы 7-ой Всесоюз. конф. по росту полупроводниковых кристаллов и пленок. 1986. Т. 1. С. 279--281
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
