"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Спектры фоточувствительности p- i- n-диодов на основе напряженных сверхрешеток Si--GeSi
Садофьев Ю.Г.1
1Научно-исследовательский технологический институт Рязань
Поступила в редакцию: 10 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

  1. Bean J.C. Proc. IEEE. 1992. V. 80. P. 571--587
  2. Prsting H., Kibbel H., Jaros M. et al. Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. P. 1127--1148
  3. Bean J.C., Feldman L.C., Fiori A.T. et al. J. Vac. Sci. Technol. 1984. V. A2. P. 436--440
  4. Садофьев Ю.Г. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 9. С. 5--10
  5. Temkin H., Pearsall T.P., Bean J.C. et al. Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. P. 538--540
  6. Pearsall T.P., Temkin H., Bean J.C., Luryi S. IEEE Electron. Device Lett. V. EDL-7. P. 330--332

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.