"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
О локальных неоднородностях вхождения Ga и As в пленку ZnSe из подложки GaAs
Гаврилова Т.А.1, Сидоров Ю.Г.1, Якушев М.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 24 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

  1. Krost A., Richter W., Zahn D.R.T., Hingerl K., Sitter H. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 1981--1983
  2. Williams J.O., Wright A.C., Yates H.M. J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 441--453
  3. Scimeca T., Watanabe Y., Maeda F., Berrigan R., Oshima M. Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 1667--1669
  4. Li D., Gonsalves J.M., Otsuka N., Qui J., Kobayshi M., Gunsher R.L. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 449--451

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.