Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О локальных неоднородностях вхождения Ga и As в пленку ZnSe из подложки GaAs
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 24 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.
- Krost A., Richter W., Zahn D.R.T., Hingerl K., Sitter H. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 1981--1983
- Williams J.O., Wright A.C., Yates H.M. J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 441--453
- Scimeca T., Watanabe Y., Maeda F., Berrigan R., Oshima M. Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 1667--1669
- Li D., Gonsalves J.M., Otsuka N., Qui J., Kobayshi M., Gunsher R.L. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 449--451
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
