Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетерирование примесей и дефектов в Si, GaAs и InSb
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
- Баграев Н.Т., Бочкарев Э.П., Власенко Л.С. и др. Изв. АН СССР. Неорганич. матер. 1978. Т. 14. В. 4. С. 614--617
- Лошкарев Г.В. ФТП. 1971. Т. 5. В. II. С. 2075--2079
- Романенко В.Н., Хейфиц В.С. Изв. АН СССР. Неорганич. матер. 1973. Т. 9. В. 2. С. 190--196
- Гореленок А.Т., Груздов В.Г., Кумар Ракеш и др. 1988. Т. 22. В. 1. С. 35--43
- Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М., 1986. 176 с
- Крюков В.Л., Немерюк А.Г., Фурманов Г.П. и др. Электронная техника. Материалы. 1990. В. 1. С. 49--52
- Hwang J.M., Schroder O.K. J. Appl. Phys. 1986. V. 56. N 7. P. 2476--2487
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
