"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние водорода на фотовольтаическую и фотодиодную чувствительность туннельных структур Pd--SiO 2- n( p)-Si
Слободчиков С.В.1, Ковалевская Г.Г.1, Салихов Х.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

  1. Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В. ЖТФ. 1993. Т. 63. В. 2. С. 185--190
  2. Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Пенцов А.В., Салихов Х.М. ФТП. 1993. Т. 27. В. 7. С. 1213--1216
  3. Srivastawa G.P., Bhatnagar P.K., Dhariwal S.R. Sol.-St. Electr. 1979. V. 22. P. 581--587
  4. Keramati B., Zemel J.N. J. Appl. Phys. 1982. V. 53. N 2. P. 1091
  5. Petty M.C. Electr. Lett. 1982. V. 18. N 8. P. 314

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.