"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Гетероэпитаксия сульфида свинца на кремнии
Бондаренко В.П.1,2, Ворозов Н.Н.1,2, Дикарева В.В.1,2, Дорофеев А.М.1,2, Левченко В.И.1,2, Постнова Л.И.1,2, Троянова Г.Н.1,2
1Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси Минск
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 9 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

  1. Zogg H., Masek J., Maissen C., Blunier S., Weibel H. Thin Solid Films. 1990. V. 184. P. 247--255
  2. Zogg H., Huppi M. Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. P. 133-135
  3. Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. Зарубежная электронная техника. 1989. В. 9. С. 55--84
  4. Бондаренко В.П., Долгий Л.Н., Яковцева В.А. Матер. междунар. конф. "Микроэлектроника-90". Минск, 1990. Т. 2. С. 27--29
  5. Canham L.T. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. N 10. P. 1046--1048
  6. Gaponenko S.V., Germanenko I.N., Petrov E.P.., Stupak A.P., Bondarenko V.P., Dorofeev A.M. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 1. P. 81--83
  7. Labunov V.A., Bondarenko V.P.,Glinenko L.K., Dorofeev A.M., Tabulina L.V. Thin Solid Films. 1986. V. 137. N 1.P. 123--134
  8. Labunov V.A., Bondarenko V.P., Borisenko V.E., Dorofeev A.M. Phys. Stat. Sol. (a). 1987. V. 102. P. 193--198
  9. Xie Y.H., Bean J.C. J. Appl. Phys. 1990.V. 67. N 2. P. 792--795
  10. Lin T.L. et al. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 11
  11. Yasegawa S., Maehashi K., Nakashima H. J. Crystal Growth. 1989. V. 95. P. 113--116
  12. Bondarenko V., Troyanova G., Kovyazina T., Komarov F. et al. Abstr. 17th Int. Conf. Def. Semicond. Gmunden, Austria. 1993. P. 192

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.