Использование электронного облучения для устранения пробоя в высоковольтных GaAs полупроводниковых приборах
Козловский В.В.1, Пономарев С.И.1, Козловская И.А.1
1Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Гириконд", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
- Алферов Ж.И., Корольков В.И., Никитин В.Г., Степанова М.Н., Третьяков Д.Н. Письма в ЖТФ. 1984. Т. 2. В. 5. С. 201--204
- Задиранов Ю.М., Корольков В.И., Пономарев С.И. ЖТФ. 1987. Т. 57. В. 4. С. 771--777
- Matsumura Н., Stephens K.G. J. Appl. Phys. 1977. V. 48. N 7. P. 2779---2783
- Козловский В.В., Абросимова В.Н. Легирование материалов A_IIIB_V радиационными дефектами. Препринт ИПТМ РАН. Черноголовка, 1991. 31 С
- Корольков В.И., Красавин В.Н., Пономарев С.И., Цвилев Г.И. ФТП. 1985. Т. 19. В. 2. С. 328--331
- Немец О.Ф, Гофман Ю.В. Справочник по ядерной физике. Киев: Наукова думка, 1975. 415 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.