Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Использование электронного облучения для устранения пробоя в высоковольтных GaAs полупроводниковых приборах
1Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Гириконд", Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
- Алферов Ж.И., Корольков В.И., Никитин В.Г., Степанова М.Н., Третьяков Д.Н. Письма в ЖТФ. 1984. Т. 2. В. 5. С. 201--204
- Задиранов Ю.М., Корольков В.И., Пономарев С.И. ЖТФ. 1987. Т. 57. В. 4. С. 771--777
- Matsumura Н., Stephens K.G. J. Appl. Phys. 1977. V. 48. N 7. P. 2779---2783
- Козловский В.В., Абросимова В.Н. Легирование материалов A_IIIB_V радиационными дефектами. Препринт ИПТМ РАН. Черноголовка, 1991. 31 С
- Корольков В.И., Красавин В.Н., Пономарев С.И., Цвилев Г.И. ФТП. 1985. Т. 19. В. 2. С. 328--331
- Немец О.Ф, Гофман Ю.В. Справочник по ядерной физике. Киев: Наукова думка, 1975. 415 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
