Исследование поверхностной неоднородности деформации в эпитаксиальной структуре In1-xGaxP/(111)GaAs
Бушуев В.А.1, Хапачев Ю.П.1, Лидер В.В.1
1Кабардино-Балкарский государственный университет Нальчик
Поступила в редакцию: 12 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.
- Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: наука, 1986. 144 с
- Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Кристаллография. 1989. Т. 34. N 3. С. 776--800
- Кон В.Г., Прилепский М.В., Суходрева И.М. Поверхность. 1984. N 11. С. 122--128
- Лидер В.В., Чуховский Ф.Н., Хапачев Ю.П., Барашев М.Н. ФТТ. 1989. Т. 31. N 4. С. 74--81
- Колпаков А.В. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах с одномерным изменением периода решетки. М.: МГУ, 1988. 127 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук