Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Распределение напряженности электрического поля в высокоомных М(ТД)П(ТД)М структурах при освещении
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.
- Кашерининов П.Г., Резников Б.И., Царенков Г.В. ФТП. 1992. Т. 26. В. 8. С. 1480--1492
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. С. 220--222
- Матвеев О.А., Аркадьева Е.Н., Гончаров Л.А. ДАН СССР. 1975. Т. 221. С. 321
- Hage-Ali M., Stuck R., Sharager C., Siffert P. IEEE Trans. on Nuclear Science. 1979. V. NS--26. N 1. P. 281--283
- Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Перепелицын Ю.Н., Харциев В.Е., Ярошецкий И.Д. Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах с фоточувствительным распределением электримческого поля и оптоэлектронные приборы на их основе Препринт ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН. N 1569. С.-Петербург, 1991. С. 52--59
- Гуткин А.А., Седов В.Е. ФТП. 1976. Т. 10. В. 8. С. 1589--1591
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
