Вышедшие номера
Распределение напряженности электрического поля в высокоомных М(ТД)П(ТД)М структурах при освещении
Кашерининов П.Г.1, Кичаев А.В.1, Ярошецкий И.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

  1. Кашерининов П.Г., Резников Б.И., Царенков Г.В. ФТП. 1992. Т. 26. В. 8. С. 1480--1492
  2. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. С. 220--222
  3. Матвеев О.А., Аркадьева Е.Н., Гончаров Л.А. ДАН СССР. 1975. Т. 221. С. 321
  4. Hage-Ali M., Stuck R., Sharager C., Siffert P. IEEE Trans. on Nuclear Science. 1979. V. NS--26. N 1. P. 281--283
  5. Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Перепелицын Ю.Н., Харциев В.Е., Ярошецкий И.Д. Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах с фоточувствительным распределением электримческого поля и оптоэлектронные приборы на их основе Препринт ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН. N 1569. С.-Петербург, 1991. С. 52--59
  6. Гуткин А.А., Седов В.Е. ФТП. 1976. Т. 10. В. 8. С. 1589--1591

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.