Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Длинноволновое очувствление GaP-фотодиодов посредством эпитаксиального заращивания структур слоем GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.
- Афраилов М.А., Баранов А.Н., Дмитриев А.П., Михайлова М.П., Сморчкова Ю.П., Тимченко И.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П., Яссиевич И.Н. ФТП. 1990. Т. 24. В. 8. С. 1397--1406
- Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. ФТП. 1991. Т. 25. В. 2. С. 276--282
- Klingenstein M., Kuhl J., Rosenzweig J., Moglestue C, Axmann A. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 22. P. 2503--2505
- Wada O., Nobuhara H., Hamaguchi H., Mikawa T., Takeuchi A., Fujii T. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 1. P. 16--17
- Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под ред. Р.Дж.Киеса. М.: Радио и связь, 1985. 325 с
- Nakajima K., Sugimoto K., Hirohata T., Mizushima Y. Appl. Phys. Lett. V. 61. N 23. P. 2575--2576
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
