Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Псевдоморфные напряженные пленки InGaAsP с упругими деформациями до 0.85% и толщиной 0.1--0.3 мкм, полученные методом жидкофазной эпитаксии
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 25 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.
- Eliseev P.G. In: Semiconductor Optoelectronics. /Ed. by M.F.Hermann. Polish Sci. Publishers. Warszawa. 1980. P. 157--186
- Asai H., Oe K. J.Cryst.Growth. 1983. V. 62. N 1. P. 67--74
- Hartman W., Conrath D., Gasteyer W. et al. Nuclear Instr. and Methods in Phys. Res. 1990. V. A286. N 1. P. 1--8
- Альперович В.Л., Болховитянов Ю.Б., Паулиш А.Г., Терехов А.С. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 22. С. 67--71
- Nakanishi T., Aoyagi H., Horinaka H. et al Phys. Lett. A. 1991. V. 158. N 6. 7. P. 345--349
- Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova R.I., Chikichev S.I. J.Electron. Mater. 1983. V. 12. N 3. P. 525--549
- Madelon R. Revue de Physique Appliquee. 1979. V. 14. P. 863--867
- Matyi R.J., Melloch M.R., Woodal J.H. Appl. Phys. Lett. V. 60. N 21. P. 2642--2644
- Гутаковский А.К., Пчеляков O.П., Стенин С.И. Кристаллография. 1980. Т. 25. Вып. 4. С. 806--814
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
