"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP
Баранов А.И.1, Гудовских А.С.1, Никитина Е.В.1, Егоров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: itiomchik@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

Показана возможность формирования фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктур GaPNAs/GaP, представляющих большой интерес для создания многопереходных солнечных элементов на кремниевых подложках. Показано, что в p-i-n-структурах с нелегированным слоем GaPNAs происходит более эффективное разделение носителей заряда, что позволяет достичь большего тока короткого замыкания по сравнению с p-n-структурами с базой n-типа. Выявлена особенность спектральных характеристик исследуемых фотопреобразовательных структур, заключающаяся в наличии двух пиков квантовой эффективности, которая связывается со сложной зонной структурой GaPNAs.
  1. Shan W., Walukiewicz W. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 3251
  2. Buyanowa I.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 52. P. 81
  3. Ceisz J.F., Friedman D.J. // Semicond. Sci. Technol. 2002. V. 17. P. 769
  4. Geisz J.F., Friedman D.J., Kurtz S.R. // 29th IEEE PVSC. 2002. P. 864
  5. Geisz J.F., Olson J.M., Friedman D.J. et al. // 31th IEE PVSC. 2005. P. 695
  6. Egorov A.Ju., Bernklau D., Borchet B. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 227/228. P. 545
  7. Shan W. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82. P. 1221
  8. Shan W. et al. // Phys. Status Solidi. B. 2001. V. 223. P. 75
  9. Егоров А.Ю., Крыжановская Н.В., Соболев М.С. // ФТП. 2011. Т. 45(9). С. 1209--1213
  10. Kudrawiec R. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. P. 116 101

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.