Вышедшие номера
Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al0.3Ga0.7As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония
Тихов С.В.1, Горшков О.Н.1, Антонов И.Н.1, Касаткин А.П.1, Коряжкина М.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

В структурах металл-оксид-полупроводник на основе пленок Al0.3Ga0.7As, полученных методом эпитаксии с использованием металлоорганических соединений, наблюдался пиннинг уровня Ферми на границе раздела Al0.3Ga0.7As/оксид на расстоянии 1.1 eV от потолка зоны проводимости Al0.3Ga0.7As. В этих структурах обнаружено явление долговременной памяти, которое обусловлено поступлением электронов из Al0.3Ga0.7As в анодный окисел и их захватом там глубокими ловушками. Наблюдалось обратимое изменение состояний структур, связанных с этим эффектом памяти, под действием электрического поля или света.