Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al0.3Ga0.7As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония
Тихов С.В.1, Горшков О.Н.1, Антонов И.Н.1, Касаткин А.П.1, Коряжкина М.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.
В структурах металл-оксид-полупроводник на основе пленок Al0.3Ga0.7As, полученных методом эпитаксии с использованием металлоорганических соединений, наблюдался пиннинг уровня Ферми на границе раздела Al0.3Ga0.7As/оксид на расстоянии 1.1 eV от потолка зоны проводимости Al0.3Ga0.7As. В этих структурах обнаружено явление долговременной памяти, которое обусловлено поступлением электронов из Al0.3Ga0.7As в анодный окисел и их захватом там глубокими ловушками. Наблюдалось обратимое изменение состояний структур, связанных с этим эффектом памяти, под действием электрического поля или света.
- Кейси Х., Панниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981. Т. 1. 297 с.; Т. 2. 358 с
- Hsu Chia-Ming, Hwu Jenn-Gwo // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. С. 253 517 (1--4)
- Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 10. С. 1736--1743
- Kundu Souvik, Halder N., Nripendra, Biswas D. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. C. 034 514 (1--7)
- Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1984. 252 с
- Родерик Э.К. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 207 с
- Revva P., Langer J.M., Missous M. et al. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 416--425
- Тихов С.В. Неравновесные процессы в МДП-структурах. Горький: Изд-во ГТУ, 1985. 68 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.