Моделирование формирования InAs квантовых точек на боковой поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов
Большаков А.Д.1, Дубровский В.Г.1, Yan Xin1, Zhang Xia1, Ren Xiaomin1
1Санкт-Петербургский Академический университет, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications (Ministry of Education), Beijing University of Posts and Telecommunications, China
Email: acr1235@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.
Проведено теоретическое исследование эффекта образования InAs квантовых точек на боковых поверхностях GaAs нитевидных нанокристаллов. Проведено сравнение эффективных энергий образования тонкого слоя и квантовых точек на боковой поверхности нитевидных нанокристаллов с учетом упругих напряжений на радиальной гетерогранице двух материалов, рассогласованных по параметру решетки. Введено понятие критической толщины внешнего слоя, при достижении которой механические напряжения стимулируют трехмерный рост квантовых точек. Определена зависимость критической толщины от диаметра нитевидного нанокристалла и упругих констант системы. Объяснен эффект частичного заполнения квантовыми точками боковой поверхности нитевидного нанокристалла за счет уменьшения толщины осажденного InAs с увеличением высоты. Получено хорошее совпадение экспериментальных данных и результатов моделирования.
- Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89
- Гиваргизов Е.И. // Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977
- Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. С. 1585
- Li Y., Qian F., Xiang J. et al. // Mater. Today. 2006. V. 9. P. 18
- Joyce H.J., Gao Q., Tan H.H. et al. // Prog. Quant. Electron. 2011. V. 35. P. 23
- Cirlin G.E., Bouravleuv A.D., Soshnikov I.P. et al. // Nanoscale Res. Lett. 2010. V. 5. P. 360
- Hayden O., Agarwal R., Lu W. // Nano Today. 2008. V. 3. N 5--6. P. 12
- Glas F. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 121 302
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Zhang X. et al. // Cryst. Growth Des. 2010. V. 10. P. 3949
- Zhang X., Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. et al. // Cryst. Growth Des. 2011. V. 11. P. 5441
- Messing M.E., Wong-Leung J., Zanolli Z. et al. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 3899
- Popovitz-Biro R., Kretinin A., Von Huth P. et al. // Cryst. Growth Des. 2011. V. 11. P. 3858
- Yan X., Zhang X., Ren X. et al. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 3941
- Yan X., Zhang X., Ren X. et al. // Nano Lett. 2012. V. 12. P. 1851
- Glas F., Daudin B. // Phys. Rev. B 2012. V. 86. P. 174 112
- Shchukin V.A., Bimberg D., Ng K.W. // Reviews of Modern Physics. 1999. V. 71. N 4. P. 1125
- Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. P. 075 409
- Aifantis K.E., Kolesnikova A.L., Romanov A.E. // Philosophical Magazine. 2007. V. 87. P. 4731
- Дубровский В.Г., Тимофеева М.А., Tchernycheva M. et al. // ФТП. 2013. Т. 47. С. 53
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук