Вышедшие номера
Инжекционно-ионизационный механизм неустойчивости тока при выключении интегрального тиристора с полевым управлением
Грехов И.В.1, Гусин Д.В.1, Иванов Б.В.1, Рожков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
Email: grekhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

Выполнено экспериментальное и расчетное исследование процесса выключения интегрального тиристорного чипа с внешним полевым управлением, работающего в цепи с индуктивной нагрузкой. С помощью независимых измерений анодного и катодного эмиттерного токов установлено, что в реализуемых на практике условиях шунтирование управляемых эмиттеров по внешней цепи не позволяет мгновенно прервать инжекцию электронов во всех элементарных ячейках структуры, и определен максимальный выключаемый ток при работе в таком режиме. Выполненное численное моделирование выявило неустойчивость распределения тока по рабочей площади, способствующую аварийной его локализации, и показало критическую необходимость уменьшения паразитных индуктивностей и сопротивлений в самих чипах и шунтирующей цепи при разработке высоковольтных интегральных тиристоров и силовых модулей на их основе.