Вышедшие номера
Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках манганитов LaMnO3, выращенных магнетронным распылением
Борисенко И.В.1, Карпов М.А.1, Овсянников Г.А.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва НИУ Московский физико-технический институт, Долгопрудный Chalmers University of Technology,, Gothenburg, Sweden
Email: iwert@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

Обнаружено, что тонкие пленки манганита LaMnO3, выращенные методом высокочастотного магнетронного распыления при высоком давлении на подложках с кубической симметрией кристаллической структуры, испытывают переход металл-изолятор, в то время как для орторомбических подложек LaMnO3 остается в диэлектрическом состоянии. Исследованы зависимости параметров этого перехода от величины и симметрии механических напряжений, возникающих при эпитаксиальном росте пленки LaMnO3 на различных подложках. Исследована зависимость резистивных свойств пленок LaMnO3 на подложке SrTiO3 от их толщины. Показано, что наличие избыточного кислорода с замещением в системе катионов может существенно влиять на соотношение концентраций ионов Mn4+/Mn3+ в пленке и приводить к появлению перехода металл-изолятор.