Вышедшие номера
Сегнетоэлектрические пленки дейтерированного глицинфосфита, выращенные в атмосфере азота
Балашова Е.В.1, Кричевцов Б.Б.1, Зайцева Н.В.1, Панкова Г.А.1, Свинарев Ф.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН, Санкт-Петербург
Email: balashova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Тонкие сегнетоэлектрические пленки дейтерированного глицинфосфита выращены методом испарения в атмосфере азота на подложках NdGaO3 и alpha-Al2O3. С помощью встречно-штыревой системы электродов, предварительно нанесенных на подложку, исследован сильно- и слабосигнальный диэлектрический отклик полученных структур. Кристаллизация пленок в атмосфере азота позволила существенно повысить (до 291 K) температуру появления петель диэлектрического гистерезиса, характеризующих переход пленки в сегнетоэлектрическое состояние. В отличие от пленок, выращенных в обычной атмосфере, слабосигнальная диэлектрическая аномалия сильно размыта по температуре, что связано с неоднородным распределением дейтерия по пленке.