Фотоиндуцированная деградация тандемных alpha-Si : H/muc-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах
Емельянов В.М.1, Бобыль А.В.1, Теруков Е.И.1, Честа О.И.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
Email: resso2003@bk.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
Экспериментально исследована фотоиндуцированная деградация тандемных фотопреобразователей со структурой alpha-Si : H/muc-Si : H с начальным КПД 10.5% при температурах 298, 328 и 353 K. Установлено, что если при температуре 298 K наблюдается снижение КПД фотопреобразователей на 1.0-1.2% при длительной световой экспозиции, то повышение температуры до 328 K приводит к снижению деградации до 0.2% по КПД, а при температуре 353 K деградация не наблюдается. Для объяснения полученных результатов была использована модифицированная модель "H-коллизий". Определена энергия термической активации для процесса, препятствующего росту свободных (оборванных) связей в слое i-alpha-Si : H.
- Shimizu T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2004. V. 43. P. 3257
- Izard J. et al. // Proc. 26th EPVSEC. 2011. P. 2403
- Sato S. et al. // Prog. Photovolt: Res. Appl. 2012. doi: 10.1002/pip.2342
- Емельянов В.М. и др. // ФТП. 2013. T. 5. C. 667
- Powell M.J., Wehrspohn R.B., Deane S.C. // J. Non-Cryst. Solids. 2002. V. 299-302. P. 556
- Stutzmann M., Jackson W.B., Tsai C.C. // Phys. Rev. B. 1985. V. 32. P. 23
- Wu Z.Y., Siefert J.M., Equer B. // J. Non-Cryst. Solids. 1991. V. 137/138. P. 227
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук