Анализ особенностей электролюминесценции кремниевых МДП-структур как средство диагностики инжекционных свойств диэлектрического слоя
Илларионов Ю.Ю.1, Векслер М.И.1, Isakov D.1, Федоров В.В.1, Sing Yew Kwang1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Singapore Institute of Manufacturing Technology, Nanyang Drive 71, Singapore Nanyang Technological University, Nanyang Drive 50, Singapore
Email: ill-88@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
Предлагается методика диагностики инжекционных свойств тонких диэлектрических слоев, основанная на анализе данных по электролюминесценции кремния в МДП-структуре. На примере образцов с CaF2 и HfO2/SiO2 демонстрируется возможность применения методики для контроля энергии инжекции электронов, в том числе в случае недостаточно хорошо известных параметров барьеров. Полученные результаты важны для применения исследуемых диэлектриков в приборах микроэлектроники.
- Robertson J. // Rep. Prog. Phys. 2006. V. 69. N 2. P. 327--396
- Watanabe S., Maeda M., Sugisaki T., Tsutsui K. // Jpn. J. Appl. Phys. 2005. V. 44. N 4B. P. 2637--2641
- Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 3. С. 372--377
- Cartier E., Tsang J.C., Fischetti M.V., Buchanan D.A. // Microelect. Eng. 1997. V. 36. N 1--4. P. 103--106
- Asli N., Vexler M.I., Shulekin A.F., Yoder P.D., Grekhov I.V., Seegebrecht P. // Microelect. Reliability. 2001. V. 41. N 7. P. 1071--1076
- Bude J., Sano N., Yoshii A. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. N 11. P. 5848--5856
- Sobolev N.A. // In: Advances in Light Emitting Materials / Ed. by B. Monemar et al, P. 79--100 (Trans Tech Publications, 2008)
- Sugiyama M., Oshima M. // Microelectron. J. 1996. V. 27. N 4--5. P. 361--382
- Ishizaka A., Shiraki Y. // J. Electrochem. Soc. 1986. V. 133. N 4. P. 666--671
- Vexler M.I., Sokolov N.S., Suturin S.M., Banshchikov A.G., Tyaginov S.E., Grasser T. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. Paper Np. 083 716
- Hinkle C.L., Galatage R.V., Chapman R.A., Vogel E.V., Alshareef H.N., Freeman C., Wimmer E., Niimi H., Li-Fatou A., Shaw J.B., Chambers J.J. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. Paper N. 103 502
- Ng B.P., Zhang Y., Kok S.W., Soh Y.C. // Ultramicroscopy. 2009. V. 109. N 4. P. 291--295
- Monaghan S., Hurley P.K., Cherkaoui K., Negara M.A., Schenk A. // Solid-State Electron. 2009. V. 53. N 4. P. 438--444
- Векслер М.И., Тягинов С.Э., Илларионов Ю.Ю., Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, Федоров В.В., Исаков Д.В. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 5. С. 675--683
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
