Вышедшие номера
Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs
Надточий А.М.1,2,3,4, Крыжановская Н.В.1,2,3,4, Максимов М.В.1,2,3,4, Жуков А.Е.1,2,3,4, Моисеев Э.И.1,2,3,4, Кулагина М.М.1,2,3,4, Вашанова К.А.1,2,3,4, Задиранов Ю.М.1,2,3,4, Мухин И.С.1,2,3,4, Аракчеева Е.М.1,2,3,4, Livshits D.1,2,3,4, Липовский А.А.1,2,3,4
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Россия
4Innolume GmbH, Dortmund, Deutschland
Email: al.nadtochy@
Поступила в редакцию: 1 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Методом спектроскопии фотолюминесценции исследованы микродисковые резонаторы на основе квантовых точек InAs/GaAs, отделенные от подложки GaAs селективным травлением и смонтированные на подложку кремния с помощью эпоксидного клея. Дисковый резонатор диаметром 6 mum продемонстрировал квазиодночастотную лазерную генерацию при температуре 78 K с пороговой мощностью 320 muW и lambda /Deltalambda ~ 27 000.