"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Приготовление полосковой структуры для квантовых каскадных лазеров
Мамутин В.В.1, Ильинская Н.Д.1, Пушный Б.В.1, Левин Р.Н.1, Шерняков Ю.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamutin@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Продемонстрирован метод заращивания лазерных полосковых структур высокоомным фосфидом индия для ограничения области протекания тока и улучшения отвода тепла. Заращивание выполнялось с помощью метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что данный метод позволяет получать качественные эпитаксиальные слои и бездефектные границы заращивания без специальной обработки структур после фотолитографии. Все слои InP были n-типа проводимости, удельное сопротивление составляло rho~ 5· 104 Omega· cm, а концентрация носителей n~ 5· 1010 cm-3. Характеристики выращенных слоев InP позволят получать высококачественные квантовые каскадные лазеры.
  1. Faist J., Capasso F., Sivco D.L., Sirtori C., Hutchinson A.L., Cho A.Y. // Science. 1994. V. 264. P. 553
  2. Evans A., Darvish S.R., Slivken S., Nguyen J., Razeghy M. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 071 101
  3. Chashnikova M., Monastyrskyi G., Aleksandrova A., Klinkmu''ller M., Semtsiv M.P., Masselink W.T. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 213 504
  4. Мамутин В.В., Устинов В.М., Boetthcher J., Kuenzel H. // ФТП. 2010. T. 44. С. 995

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.