"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Синтез пространственно упорядоченного ансамбля наноцилиндров Co в матрице пористого оксида алюминия на поверхности GaAs-структур
Гудков В.А.1, Веденеев А.С.1, Рыльков В.В.1, Темирязева М.П.1, Козлов А.М.1, Николаев С.Н.1, Панков М.А.1, Голованов А.Н.1, Семисалова А.С.1, Перов Н.С.1, Духновский М.П.1, Бугаев А.С.1
1Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, F Tampere, Finland Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Россия
Email: asv335@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Развита методика получения квазирегулярных ансамблей наноцилиндров Со контролируемой высоты в порах анодного оксида алюминия на поверхности GaAs-структур. Заполнение пор оксида алюминия осуществлено гальваническим осаждением кобальта из раствора CoCl2, обеспечившим равномерный рост Со в порах. Установлено, что даже при небольшом отношении длины наноцилиндров Co к их диаметру l/d ~ 2 преимущественное направление магнитной анизотропии совпадает с осью наноцилиндров.
  1. Masuda H., Fukuda K. // Science. 1995. V. 268. N 5216. P. 1466-1468
  2. Lee W., Ji R., Gosele U., Nielsch K. // Nature Materials. 2006. V. 5. P. 741-747
  3. Shingubara S. // J. Nanoparticle Research. 2003. V. 5. N 1-2. P. 17-30
  4. Sarkar J., Khan G.G., Basumallick A. // Bull. Mater. Sci. 2007. V. 30. N 3. P. 271-290
  5. Noh K., Brammer K.S., Seong T.-Y., Jin S. // NANO: Brief Reports and Reviews. 2011. V. 6. N 6. P. 541-555
  6. Noh K., Brammer K.S., Choi C., Kim S.H., Frandsen C.J., Jin S. // J. Biomaterials and Nanobiotechnology. 2011. V. 2. N 7. P. 226-233
  7. Li F., Wang T., Ren L., Sun J. // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. V. 16. N 10. P. 8053-8060
  8. Kartopu G., Yal ci n O., Es-Souni M., Basaran A.C. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. N 9. P. 093915-1-6
  9. Росляков И.В., Напольский К.С., Елисеев А.А., Лукашин А.В., Чернышов Д.Ю., Григорьев С.В. // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. N 3-4. С. 82-86
  10. Vivas L.G., Escrig J., Trabada D.G., Badini-Confalonieri G.A., Vazquez M. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. N 25. P. 252405-1-4.
  11. Isakovic A.F. Spin Transport in Ferromagnet-Semiconductor Heterostructures. LAP Lambert Academic Publishing, 2010. 240 p
  12. Lutsev L.V., Stognij A.I., Novitskii N.N. // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. N 18. P. 184423-1-15.
  13. Men'shov V.N., Tugushev V.V., Caprara S., Echenique P.M., Chulkov E.V. // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. N 3. P. 035315-1-15.
  14. Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Иванов П.А., Коренев В.Л. // Письма в ЖЭТФ. 1994. Т. 60. N 9. С. 650-654; Захарченя Б.П., Коренев В.Л. // УФН. 2005. Т. 175. N 6. С. 629-635
  15. Бугаев А.С., Веденеев А.С., Духновский М.П., Ратникова А.К., Рыльков В.В., Федоров Ю.Ю. Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке. Заявка на получение патента РФ, регистр. N 2012100943 от 16.01.2012
  16. Духновский М.П., Веденеев А.С., Гудков В.А., Ратникова А.К., Рыльков В.В., Федоров Ю.Ю., Бугаев А.С. // РЭ. 2012. Т. 57. N 1. С. 97-101
  17. Kazadi Mukenga Bantu A., Rivas J., Zaragoza G., Lopez-Quintela M.A., Blanco M.C. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 6. P. 3393-3397
  18. Sato M., Ishii Y. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 2. P. 983-985

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.