Наноразмерные структуры с p-n-переходами на основе SiC для преобразователей химической энергии в электрическую и сенсоров
Стыров В.В.1, Симченко С.В.1
1Бердянский государственный педагогический университет, Украина
Email: sstehnology@rambler.ru
Поступила в редакцию: 4 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.
Изучается преобразование химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковой структуры (наноразмерные p-n-переходы на основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации взаимодействия с поверхностью атомов водорода, кислорода и смесей H+O, CH3+H и последующего разделения электронно-дырочных пар электрическим полем p-n-перехода. Лицевой p-слой структуры на основе SiC был нанометровой толщины (~ 30 nm). Хемо-ЭДС в разомкнутой цепи достигала 3 mV, а хемоток короткого замыкания - 320 nA.
- Georgen B., Nienhaus H., Weinberg W.H., McFarland E. // Science. 2003. V. 294. P. 2521--2523
- Zuppero A. et al. United States Patent 6.268.561, issued July 31, 2001
- Kabansky A.Y., Styrov V.V. // Advanced Materials for Energy Conversion II / Eds D. Chandra, R.G. Bautista, L. Shlapbach. Publication of TMS, Charlotte, USA, 2004. P. 43--52
- Кабанский А.Е., Стыров В.В., Тюрин Ю.И. // Письма в ЖТФ. 1978. Т. 5. В. 14. С. 833--836
- Стыров В.В., Симченко С.В. // Письма в ЖЭТФ. 2012. Т. 96. В. 5. С. 343--346
- Иванов П.А., Челноков В.Е. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 11. С. 1921--1943
- Styrov V.V., Tyutyunnikov V.I., Sergeev O.T., Oya Y., Okuno K. // J. Phys. Chem. Solids. 2005. V. 66. P. 513--520
- Gerasimova O., Protsenko S., Borisov S. Book of Abstracts 25th International Symposium on Rarefield Gas Dynamics. St. Petersburg, July 21--28, 2006. P. 128
- Zhong Z.T., Wang D.W., Fan Y., Li C.F. // J. Vac. Sci. and Technol. B. 1989. V. 7. Iss. 5. P. 584 555--584 561
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
