Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe
Ижнин И.И.1,2,3,4, Савицкий Г.В.1,2,3,4, Фицыч Е.И.1,2,3,4, Дворецкий С.А.1,2,3,4, Михайлов Н.Н.1,2,3,4, Варавин В.С.1,2,3,4, Мынбаев К.Д.1,2,3,4
1Научно-исследовательский институт материалов НПП "Карат", Львов, Украина
2Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: i.izhnin@carat.electron.ua
Поступила в редакцию: 9 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.
Исследована релаксация электрических параметров радиационно-нарушенных слоев, образующихся при ионно-плазменном травлении образцов твердых растворов CdHgTe. Показано, что начальная концентрация донорных центров, формирующихся из-за радиационных нарушений, а также динамика их распада в ходе старения образцов (релаксации) определяются составом твердого раствора. Значение подвижности носителей в слоях после релаксации также зависит от состава твердого раствора.
- Pal R., Mittal V., Sharma R.K., Basu P.K. // Defence Sci. J. 2009. V. 4. P. 395--400
- Soltz F.J. // Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications. Ed. by P. Capper and J.W. Garland. London: John Wiley \& Sons, 2011. P. 399
- Stahle C.M., Helms C.R. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1992. V. 10. P. 3239--3245
- Yin W., Zhou W., Huang J. // Proceed. SPIE. 2010. V. 7658. P. 76584A
- Elkind J. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1992. V. 10. P. 1460--1465
- Savitsky V., Mansurov L., Fodchuk I., Izhnin I., Virt I., Lozynska M., Evdokimenko A. // Proceed. SPIE. 1999. V. 3725. P. 299--303
- Wang C., Smith D.J., Tobin S., Parodos T., Zhao J., Chang Y., Sivananthan S. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. V. 24. P. 995--1000
- Park B.A., Musca C.A., Antoszewski J., Dell J.M., Faraone L. // J. Electron. Mater. 2007 V. 36. P. 913--918
- Elkind J., Chen M.-C. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. V. 8. P. 1139--1142
- Smith E.P.G., Musca C.A., Redfern D.A., Dell J.M., Faraone L. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. P. 853--857
- Izhnin I., Bogoboyashchyy V., Sizov F. // Proceed. SPIE. 2005. V. 5957. P. 595713
- Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Pociask M., Mudryy R.Ya., Voitsekhovskii A.V., Talipov N.Kh. // Physica B. 2009. V. 404. P. 5025--5027
- Берченко Н.Н., Елизаров А.И.// Прикладная физика. 2001. N 4. С. 79
- Bogoboyashchyy V.V., Elizarov A.I., Izhnin I.I. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. 726--732
- Lunn M.A., Dobson P.S. // J. Cryst. Growth. 1985. V. 73. P. 379--382
- Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Grigorjev D.V., Mikhailov N.N., Talipov N.H., Mynbaev K.D., Izhnin I.I. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2012. V. 272. P. 313--317
- Manchandra R., Sharma R.K., Malik A., Pal R., Dhaul A., Durr M.B. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. P. 116102
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
