Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей
Блохин С.А.1, Надточий А.М.1, Минтаиров С.А.1, Калюжный Н.А.1, Емельянов В.М.1, Неведомский В.Н.1, Шварц М.З.1, Максимов М.В.1, Лантратов В.М.1, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1
1Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: blokh@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Приведены результаты сравнительных исследований внутреннего квантового выхода AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) при изменении расположения массива вертикально связанных квантовых точек (КТ) InGaAs. Вынос КТ-среды непосредственно на границу i-области с базой не вызывает изменений в чувствительности ФЭП по сравнению со случаем КТ в i-области. Однако вынос КТ в базу или к тыльному потенциальному барьеру приводит к снижению вклада базового слоя в спектры фототока ФЭП и деградации фоточувствительности КТ-среды.
- Andreev V.M., Grilikhes V.A., Rumyantsev V.D. Photovoltanc Conversion of Concentrated Sunlight. John Willey \& Sons Ltd., 1997
- Henry C.H. // J. Appl. Phys., 1980. V. 51. P. 4494
- Aroutiounian V. et al. // J. Appl. Phys., 2001. V. 89. P. 2268
- Luque A. еt al. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. P. 094 503
- Hubbard S.M. еt al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 123 512
- Шаталина Е.C. и др. // ФТП. 2010. Т. 44(10). С. 1348-1352
- Н.Н. Леденцов. ФТП. 1998. Т. 32(4). С. 385-410
- Laghumavarapu R.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 243 115
- Marti A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 233 510
- Емельянов В.М. и др. // НТВ СПбГПУ. 2009. В. 2. С. 17-23
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук