Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Повышение деградационной стойкости кристаллов полуизолирующего арсенида галлия плазменными обработками
Клюй Н.И.1,2, Липтуга А.И.1,2, Лозинский В.Б.1,2, Оксанич А.П.1,2, Тербан В.А.1,2, Фомовский Ф.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Кременчугский государственный университет им. Михаила Остроградского, Украина ОАО "Силикон", Светловодск, Украина
2Кременчугский государственный университет им. Михаила Остроградского, Украина ОАО "Силикон", Светловодск, Украина
Email: klyui@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 13 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Исследование влияния обработки в плазме водорода на деградационную стойкость кристаллов полуизолирующего GaAs к воздействию высокочастотного электромагнитного поля и термическим обработкам. Спектры пропускания ИК-излучения образцов GaAs исследовались в спектральном интервале 5-15 mum при комнатной температуре. Показано, что пропускание кристаллов, прошедших обработку в плазме водорода, при последующем ВЧ-облучении не только не падало, как это наблюдалось для необработанного кристалла, но даже увеличивалось по сравнению с исходным кристаллом. Предложен механизм, объясняющий влияние обработки в плазме водорода на деградационную стойкость кристаллов и оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области и учитывающий релаксацию внутренних механических напряжений в приповерхностной области кристалла вследствие плазменной обработки.
- Moss T.S., Burrell G.J., Ellis B. Semiconductor Opto-Electronics. Butterworth\&Co (Publishers) Ltd, 1973
- Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Хазан Л.С., Башевская О.С. // ФТТ. 1991. Т. 33. В. 11. С. 3192
- Atanassova E.D., Belyaev A.E., Konakova R.V. Effect of active actions on the properties of semiconductor materials and structures. Kharkiv, 2007
- Kryshtab T.G., Lytvyn P.M., Mazin M.A., Prokopenko I.V. // Металлофизика и новейшие технологии. 1997. Т. 19. N 5. С. 21
- Markov A.V., Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Bolsheva Y.N., Govorkov A.V., Sharonov B.N. // Solid-State Electronics. 2002. V. 46. P. 269
- Belyaev A.E., Venger E.F. Effect of microwave and laser radiations on the parametrs of semiconductor structures. Kiev, 2002
- Клюй Н.И., Липтуга А.И., Лозинский В.Б., Лукьянов А.Н., Оксанич А.П., Тербан В.А. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 13. С. 27
- Pinci k E., Jergel M., Falcony C., Ortega L., Ivanco J., Brunner R., Kucera M. // Thin Solid Films. 2003. V. 433. P. 108
- Whitaker M.F., Dunstan D.J. // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. 11. P. 2861
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
