"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Усиление сигнала при стохастическом резонансе в пленке диоксида ванадия
Алиев В.Ш.1, Бортников С.Г.1, Демьяненко М.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: aliev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

В планарной структуре с VO2 проводящим каналом, включенной последовательно с нагрузочным резистором, наблюдалось явление стохастического резонанса с усилением входного сигнала в 1.6 раза. Коэффициент передачи отношения сигнал-шум в схеме достигал 250.
  1. Анищенко В.С. и др. // УФН. 1999. Т. 169. В. 1. С. 7
  2. Мотт Н.Ф. // Переходы металл-изолятор. М.: Наука, 1979. С. 342
  3. de Almeida L.A.L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 94. P. 3605
  4. Демьяненко М.А. и др. // Вестник НГУ. Сер. Физ. 2010. Т. 5. В. 4. С. 73
  5. Kanki T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 242 108
  6. Стефанович Г.Б. и др. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 11. С. 62
  7. Алиев В.Ш. и др. // Труды 12-й Междунар. конференции и семинара EDM'2011. Эрлагол, Алтай, 2011. С. 129

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.