Вышедшие номера
Усиление сигнала при стохастическом резонансе в пленке диоксида ванадия
Алиев В.Ш.1, Бортников С.Г.1, Демьяненко М.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: aliev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

В планарной структуре с VO2 проводящим каналом, включенной последовательно с нагрузочным резистором, наблюдалось явление стохастического резонанса с усилением входного сигнала в 1.6 раза. Коэффициент передачи отношения сигнал-шум в схеме достигал 250.