Регулирование количества локальных эмитирующих нановыступов на поверхности полевого эмиттера
Голубев О.Л., Ивченко В.А.
Поступила в редакцию: 10 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.
Описывается процедура направленного изменения количества эмитирующих наноразмерных выступов на поверхности полевого вольфрамового эмиттера. Суть процедуры состоит в том, что сначала посредством термополевого воздействия на эмиттер на его поверхности выращивается некое достаточно большое количество выступов, что не представляет, как правило, больших сложностей. Затем посредством процедуры контролируемого снижения величины напряженности приложенного электрического поля при определенной постоянной температуре эмиттера можно уменьшать количество выступов вплоть до единичного выступа на поверхности.
- Шредник В.Н. // Поверхность. 1998. N 2. С. 102--110
- Власов Ю.А., Павлов В.Г., Шредник В.Н. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 9. C. 548--552
- Павлов В.Г., Рабинович А.А., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1975. Т. 45. В. 10. С. 2126--2134
- Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1991. Т. 19. С. 5--21
- Benjamen М., Jenkins R.O. // Proc. Roy. Soc. A. 1940. V. 176. P. 262--279
- Голубев О.Л., Шредник В.Н. // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 9. С. 111--116
- Фоменко В.С. // Эмиссионные свойства материалов: Справочник. Киев: Наук. думка, 1981. 338 с
- Голубев О.Л. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 12. С. 18--24
- Голубев О.Л. // ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 16. С. 56--62
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук