Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 18 » Статья стр. 7
<<<>>>
Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками
Байдакова Н.А.1, Новиков А.В.1, Лобанов Д.Н.1, Яблонский А.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: banatale@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
PDF версия
Описана модификация метода спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, позволяющая исследовать процессы поглощения света и излучательной рекомбинации носителей заряда в структурах с Ge(Si)/Si(001) самоформирующимися наноостровками. Особенность развитого метода состоит в регистрации сигнала фотолюминесценции исследуемых структур с временным и спектральным разрешением при различных энергиях кванта возбуждающего излучения. Регистрация с временным разрешением позволила разделить в спектрах фотолюминесценции исследованных структур сигналы, связанные с излучательной рекомбинацией носителей заряда в островках и смачивающем слое, а также выявить паразитные сигналы, связанные с комбинационным рассеянием возбуждающего излучения в кремниевой подложке.
  1. Tong S., Liu J.L., Wan J., Kang L. Wang // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 80. P. 1189--1191
  2. Apertz R., Vescan L., Hartmann A., Dieker C., Luth H. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 445--447
  3. Schneider R.P., Wessels B.W. // J. Electronic Materials. 1991. V. 20. P. 1117--1123
  4. Mowbray D.J., Tribe W.R., Skolnick M.S., Sturge M.D., Hopkinson M., Cullis A.G., Whitehouse C.R. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 17 738--17 744
  5. Adnane B., Karlsson K.F., Hansson G.V., Holtz P.O., Ni W.-X. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 181 107-(1--3)
  6. Yu P.Y., Kardona M. // Fundamentals of semiconductors (Physics and material properties). Berlin. Springer, 2010. Ed. 4. Chap. 7.1.5. P. 369
  7. Le Thanh V., Yam V., Boucaud P., Fortuna F., Ulysse C., Bouchier D., Vervoort L., Lourtioz J.-M. // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. P. 5851--5857
  8. Boucaud P., Sauvage S., Elkurdi M., Mercier E., Drunhes T., Le Thanh V., Bouchier D. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 155 310-(1--6)
  9. Dargys A., Kundrotas J. // Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP. Vilnius. Science and Encyclopedia Publishers. 1994. Chap. 2.3. P. 100
  10. Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Яблонский А.Н. // ФТП. 2008. Т. 42. С. 91--95
  11. Sunamura H., Usami N., Shiraki Y., Fukatsu S. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3024--3026
  12. Temple P.A., Hathaway C.E. // Phys. Rev. B. 1973. V. 7. P. 3685--3697

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme