Вышедшие номера
Низкотемпературные свойства нанокомпозита пористый кремний--индий
Сорокин Л.М.1, Фокин А.В.1, Калмыков А.Е.1, Черняев А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: chernyaevav@yandex.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Получен новый нанокомпозитный материал со стабильными свойствами на основе металла (In) и полупроводниковой матрицы (пористый Si). Проведены первые измерения его электрофизических свойств. При низких температурах 1.4-4.2 K в образцах пористый кремний-индий (porSi-In) выявлено положительное магнетосопротивление Delta R/R(H=0)~ 600%, связанное с разрушением сверхпроводящего состояния частиц In.