Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 16 » Статья стр. 69
<<<>>>
Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb
Дoрохин М.В.1, Малышева Е.И.1, Здоровейщев А.В.1, Данилов Ю.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 6 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.
PDF версия
Сформирована и исследована диодная структура с квантовой ямой InGaAs/ GaAs, содержащая ферромагнитный слой GaMnSb в качестве полупроводника p-типа проводимости. Получена циркулярная поляризация электролюминесценции указанных структур, значение степени поляризации (0.012 в магнитном поле 0.37 T) практически не меняется в диапазоне температур 10-50 K. Циркулярная поляризация обусловлена инжекцией в GaAs спин-поляризованных дырок из ферромагнитного слоя GaMnSb.
  1. vZutic I., Fabian J., Das Sarma S. // Rev. Mod. Phys. 2004. V. 76. P. 323--410
  2. Concepts on Spin Electronics / Ed. by S. Maekawa. New York: Oxford University Press, 2006. 398 p
  3. Schmidt G. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. P. R107--R122
  4. Holub M., Bhattacharya P. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2007. V. 40. P. R179--R203
  5. Young D.K., Gupta J.A., Johnston-Halperin E., Epstein R., Kato Y., Awschalom D.D. // Semicond. Sci. Tech. 2002. V. 17. P. 275--284
  6. Ramsteiner M., Hao H.Y., Kawaharazuka A., Zhu H.J., Kastner M., Hey R., Daweritz L., Grahn H.T., Ploog K.H. // Phys. Rev. B. 2002. V. 66. P. 081304R
  7. Young D.K., Johnston-Halperin E., Awschalom D.D., Ohno Y., Ohno H. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P. 1598--1600
  8. Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Дёмина П.Б., Дорохин М.В., Дроздов Ю,Н., Подольский В.В., Сапожников М.В. // Опт. журнал. 2008. Т. 75. P. 6. С. 56--61
  9. Данилов Ю.А., Зовнков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2012. Т. 76. В. 2. С. 199--201
  10. Lin S.-Y., Tseng C.-C., Lin W.-H., Mai S.-C., Wu S.-Y., Chen S.-H., Chyi J.-I. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 123503
  11. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение) / В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевский. М.: Сов. радио, 1974. 248 с
  12. Hsieh H.-W., Yena S.-T. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. P. 103 515
  13. Wang Y., Ruterana P., Desplanque L., El Kazzi S., Wallart X. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 023509
  14. Fiederlihg R., Grabs P., Ossau W., Schmidt G., Molenkamp L.W. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. N 13. P. 2160--2163
  15. Yu Z.G., Lau W.H., Flatte M.E. // Preprint Cond. Mat. 2003. N 0308220
  16. Ramsteiner M., Hao H.Y., Kawaharazuka A. et al. // Phys. Rev. B. 2011. V. 109. P. 023 509
  17. Оптическая ориентация / Под ред. Б.П. Захарчени, Ф. Майера. Л.: Наука. Ленингр. отд-ние, 1989. 408 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme