Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2011, выпуск 18 » Статья стр. 17
<<<>>>
Запуск сверхбыстрых фронтов ионизации в кремниевых диодных структурах термополевой эмиссией электронов с глубоких центров
Грехов И.В.1, Родин П.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
PDF версия
Проведено численное моделирование запуска и распространения сверхбыстрых фронтов ударной ионизации в высоковольтных кремниевых p+-n-n+-структурах. Моделирование подтверждает гипотезу о том, что термополевая ионизация глубоких центров в сильном электрическом поле может служить механизмом, ответственным за запуск сверхбыстрого фронта.
  1. Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. С. 950--953
  2. Grekhov I.V., Kardo-Susoev A.F., Kostina L.S., Shenderey S.V. // Electron. Lett. 1981. V. 17. P. 422--423
  3. Тучкевич В.М., Грехов И.В. // Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988
  4. Focia R.J., Schamiloghu E., Flederman C.B., Agee F.J., Gaudet J. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. V. 25. P. 138--144
  5. Kardo-Susoev A.F. // New Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses, in Ultra-Wideband Radar Technology / Ed. by J.D. Taylor. Boca Raton, London, New York, Washington: CRS Press, 2001
  6. Grekhov I.V. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2010.V. 38. P. 1118--1123
  7. Rodin P., Grekhov I. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 243504(1--3)
  8. Astrova E.V., Voronkov V.B., Kozlov V.A., Lebedev A.A. // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. P. 488--455
  9. Astrova E.V., Kozlov V.A., Lebedev A.A., Voronkov V.B. // Solid State Phenom. 1999. V. 69--70. P. 539--544
  10. Abakumov V.N., Perel'V.I., Yassievich I.N. // Nonradiative recombination in semiconductors. Amsterdam: North-Holland, 1991
  11. Rodin P., Rodina A., Grekhov I. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 094506(1--11)
  12. Rodin P., Ebert U., Hundsdorfer W., Grekhov I.V. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. P. 1971--1980
  13. Ya L.D., Sah C.T. // Solid-State Electronics. 1974. V. 17. P. 193--201
  14. Sah C.T., Wang C.T. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 1767--1776
  15. Биленко Ю.Д., Левинштейн М.Е., Попова М.В., Юферев В.С. // ФТП. 1983. V. 17. P. 1812--1816
  16. Кардо-Сысоев А.Ф., Попова М.В. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 5. P. 803--811
  17. Jalali H., Joshi R., Gaudet J. // IEEE Trans. Electron Devices. 1998. V. 45. P. 1761--1768

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme