Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Запуск сверхбыстрых фронтов ионизации в кремниевых диодных структурах термополевой эмиссией электронов с глубоких центров
Грехов И.В.1, Родин П.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
Проведено численное моделирование запуска и распространения сверхбыстрых фронтов ударной ионизации в высоковольтных кремниевых p+-n-n+-структурах. Моделирование подтверждает гипотезу о том, что термополевая ионизация глубоких центров в сильном электрическом поле может служить механизмом, ответственным за запуск сверхбыстрого фронта.
- Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. С. 950--953
- Grekhov I.V., Kardo-Susoev A.F., Kostina L.S., Shenderey S.V. // Electron. Lett. 1981. V. 17. P. 422--423
- Тучкевич В.М., Грехов И.В. // Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988
- Focia R.J., Schamiloghu E., Flederman C.B., Agee F.J., Gaudet J. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. V. 25. P. 138--144
- Kardo-Susoev A.F. // New Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses, in Ultra-Wideband Radar Technology / Ed. by J.D. Taylor. Boca Raton, London, New York, Washington: CRS Press, 2001
- Grekhov I.V. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2010.V. 38. P. 1118--1123
- Rodin P., Grekhov I. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 243504(1--3)
- Astrova E.V., Voronkov V.B., Kozlov V.A., Lebedev A.A. // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. P. 488--455
- Astrova E.V., Kozlov V.A., Lebedev A.A., Voronkov V.B. // Solid State Phenom. 1999. V. 69--70. P. 539--544
- Abakumov V.N., Perel'V.I., Yassievich I.N. // Nonradiative recombination in semiconductors. Amsterdam: North-Holland, 1991
- Rodin P., Rodina A., Grekhov I. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 094506(1--11)
- Rodin P., Ebert U., Hundsdorfer W., Grekhov I.V. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. P. 1971--1980
- Ya L.D., Sah C.T. // Solid-State Electronics. 1974. V. 17. P. 193--201
- Sah C.T., Wang C.T. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 1767--1776
- Биленко Ю.Д., Левинштейн М.Е., Попова М.В., Юферев В.С. // ФТП. 1983. V. 17. P. 1812--1816
- Кардо-Сысоев А.Ф., Попова М.В. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 5. P. 803--811
- Jalali H., Joshi R., Gaudet J. // IEEE Trans. Electron Devices. 1998. V. 45. P. 1761--1768
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
