"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Широкополосный диэлектрический отклик аморфных слоев As2Se3, приготовленных разными методами
Кастро Р.А.1, Грабко Г.И.1, Татуревич Т.В.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@fromru.com
Поступила в редакцию: 4 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

В аморфных слоях As2Se3, приготовленных методами термического испарения и ионно-плазменного высокочастотного распыления, изучены поляризационные процессы в переменном электрическом поле в диапазоне частот f~ 10-2-107 Hz и в интервале температур 253-343 K. В результате проведенных исследований установлено значительное влияние способа изготовления образцов на диэлектрический отклик изучаемых структур, что связано со специфическими особенностями локализованных состояний.
  1. Kolobov A.V., Fons P., Frenkel A.I., Ankudinov A.L., Tominaga J., Uruga T. // Nature Materials. 2004. V. 3. P. 703
  2. Кастро Р.А., Бордовский В.А., Грабко Г.И. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 17. С. 9--15
  3. Кастро Р.А., Бордовкий В.А., Грабко Г.И. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 20. С. 80
  4. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К.Д. Цендина. СПб.: Наука, 1996. 486 с
  5. Аверьянов В.Л., Коломиец Б.Т., Любин В.М., Приходько О.Ю. // Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6. B. 5. C. 77
  6. Sarsembinov Sh.Sh., Prikhodko O.Yu., Ryaguzov A.P., Maksimova S.Ya., Ushanov V.Zh. // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19 (7). P. 787
  7. Мазурин О.В. Электрические свойства стекла. Л.: Ленгосхимиздат, 1962. 163 c
  8. Микла В.И., Семак Д.Г., Михалько И.П. // Изв. вузов. Сер. Физ. 1977. Т. 5. С. 66

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.