Вышедшие номера
Особенности технологического облучения электронами кремниевых p-n-структур большой площади
Марченко И.Г.1, Жданович Н.Е.1
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Email: march@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 14 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Исследовано влияние облучения ускоренными электронами (4 MeV) через защитные маски, формирующие зоны повышенной рекомбинации (ERZ) в базовой области p+-n-n+-структур, на основные электрофизические характеристики кремниевых диодов, рассчитанных на токи до 600 A. Показано, что локальное облучение диодной структуры большой площади по сравнению с облучением всей структуры улучшает соотношение между временем обратного восстановления (trr) и потерями энергии в проводящем состоянии (UF) при снижении чувствительности обратного тока (IR) диода к температуре. Установлена зависимость соотношения trr, UF и IR в локально облученных структурах от условий эксперимента (размера ERZ).