Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiNx на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок
Корчагина Т.Т.1, Володин В.А.1, Попов А.А.1, Хорьков К.С.1, Герке М.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: Taisiya999@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.
Исследовано формирование нанокластеров Si в пленке SiNx с избыточным содержанием кремния под воздействием фемтосекундных лазерных импульсов. Пленка была выращена при температуре 100oC с применением плазмо-химического осаждения на подложке из лавсана. Для импульсной кристаллизации использовался титан-сапфировый лазер с длиной волны излучения 800 nm и длительностью импульса 50 fs. По данным комбинационного рассеяния света получено, что импульсные отжиги стимулировали собирание избыточного кремния в нанокластеры и их кристаллизацию. Развитый подход может быть использован для формирования полупроводниковых нанокристаллов в диэлектрических пленках на подложках из пластика.
- Park Nae-Man, Kim Tae-Soo, Park Seong-Ju. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 2575
- Корчагина Т.Т., Марин Д.В., Володин В.А., Попов А.А., Vergnat M. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 11. С. 1557
- Kim Tae-Youb, Park Nae-Man, Kim Kyung-Hyun, Sung Gun-Yong, Ok Young-Woo, Seong Tae-Yeon, Choi Chel-Jong. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 5355
- Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В. Диэлектрики в наноэлектронике. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. 258 с
- Molinari M., Rinnert H., Vergnat M. // Europhysics Letters. 2004. V. 66. P. 674
- Scardera G., Puzzer T., Conibeer G., Green M.A. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 104 310
- Гриценко В.А. // УФН. 2008. V. 178. P. 727
- Ohmukai M., Takigava Y., Kurosawa K. // Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 3556
- Volodin V.A., Efremov M.D., Gritsenko V.A., Kochubei S.A. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 1212
- Корчагина Т.Т., Володин В.А., Попов А.А., Чичков Б.Н. // Вестник НГУ. Сер. Физика. 2009. Т. 4. В. 2. С. 47
- Патент США US2008/0178794 A1 от 31.07.2008 г., заявка N 11/698262 на выдачу патента США на изобретение от 25.01.2007 г
- Volodin V.A., Korchagina T.T., Koch J., Chichkov B.N. // Physica E. 2010. V. 42. N 6. P. 1820
- Корчагина Т.Т., Володин В.А., Chichkov B.N. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 12. С. 1660
- Володин В.А., Корчагина T.T. Патент на изобретение N 2391742. Способ формирования содержащего нанокристаллы диэлектрического слоя. Заявка РФ на изобретение N 2009104889, приоритет от 12.02.2009.
- Марин Д.В., Володин В.А., Горохов Е.Б., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Vergnat M., Koch J., Chichkov B.N. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. B. 9. С. 102
- Ефремов М.Д., Володин В.А., Федина Л.И., Гутаковский А.К., Марин Д.В., Кочубей С.А., Попов А.А., Минаков Ю.А., Уласюк В.Н. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 13. С. 89
- Володин В.А., Ефремов М.Д., Качурин Г.А., Черков А.Г., Deutschmann M., Baersch N. // Письма в ЖЭТФ. 2007. Т. 86. В. 2. С. 128
- Iqbal Z., Veptek S., Webb A.P., Capezzuto P. // Solid State Communications. 1981. V. 37. P. 993
- Гайслер С.В., Семенова О.И., Шарафутдинов Р.Г., Колесов Б.А. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 8. С. 1484
- Bok J. // Phys. Lett. A. 1981. V. 84. P. 448.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
