"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Легирование бором гетероструктур Si1-xGex/Si в процессе сублимации кремния в среде германа
Шенгуров В.Г.1,2, Чалков В.Ю.1,2, Денисов С.А.1,2, Шенгуров Д.В.1,2, Жукавин Р.Х.1,2, Дроздов М.Н.1,2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: shengurov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Сообщается о контролируемом легировании эпитаксиальных слоев Si1-x Gex бором в процессе низкотемпературного (~ 500oC) выращивания гетероструктур SiGe/Si(100) испарением легированного бором кремниевого источника в среде германа. Источником является легированная бором пластина монокристаллического кремния, нагреваемая до ~ 1300oC пропусканием тока. С использованием данного источника были выращены гетероструктуры с селективно легированными слоями и резким профилем легирования. Максимальная концентрация атомов бора в слоях составляла ~ 1· 1019 cm-3.
  • Kubiak R.A.A., Leong W.Y., Parker E.H.C. // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44. P. 878
  • Ostrom R.M., Allen F.G. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. P. 221
  • Несмеянов А.Н. // Давление паров химических элементов. М.: АН СССР, 1961. 396 с
  • E. de Fresart, Rhee S.S., Wang K.L. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 49. P. 847
  • Tatsumi T., Hirayama H., Aizaki N. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. P. 1234
  • Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю. и др. // Неорганические материалы. 2003. Т. 39. N 1. С. 7
  • Bennet R.J., Parish C. // Solid-State Electron. 1973. V. 16. N 4. P. 497--501
  • Овсянников М.И., Логинова Р.Г., Рубцова Р.А. // Кристаллография. 1970. Т. 15. N 6. С. 1261
  • Толомасов В.А., Васькин В.В., Овсянников М.И. и др. // ФТП. 1981. Т. 15. С. 104
  • Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродства к электрону: Справочник / Под ред. Р.Н. Кондратьева. М.: Наука, 1974. 127 с
  • Коттрелл Т. Прочность химических связей. М.: Иностр. литература, 1956. 281 с
  • Таблица физических величин: Справочник / Под ред. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. 1006 с
  • Глазов В.М., Земсков В.С. Физико-химические основы легирования полупроводников. М.: Наука, 1967. 371 с
  • Жукавин Р.Х., Бекин Н.А., Шастин В.Н. и др. // Труды XIV Междунар. симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 15--19 марта 2010, Нижний Новгород, Россия. Т. 2. С. 445
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.